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Fujitsu推出铁电体随机存取存储器(FRAM)高性能存储介质

    Fujitsu FRAM 是新一代非易失性存储器,性能大大超越现有的存储器(如 E2PROM 和闪存),不仅功耗更低,而且还为多个读写操作提供更快的速度和更好的耐久性。 除了非易失性外,FRAM 在其它方面与 RAM 的工作方式相同。 这一突破性存储介质适用于各种应用领域,包括智能卡、RFID、安防以及许多其它需要高性能非易失性存储器的应用。 
 
    独立 FRAM 支持将 FRAM 灵活地集成到任何需要高速非易失性存储器的系统。 FRAM 不需要电池备份数据,因而极大地节省了整体系统的成本和板空间。 它可用于存储设置、配置和器件状态,存储的数据可供日后使用。 这些存储的数据可用于复位器件、分析最新状态和激活恢复操作。 逐字节随机存取方式使得存储器管理更加高效。 
 
    简单地说,FRAM 就是以 RAM 方式运行的高速非易失性存储器。 因此,程序员能够根据需要灵活地分配 ROM 和 RAM 存储器映射。 最终用户可以在底层编写 FRAM 程序,以定制其个人偏好。 独立 FRAM 使设计人员能够充分发挥创造力,从而在各种设计中探索和运用 FRAM。

特性

    非易失性 高速写入 出色的耐久性 低功耗

应用

    OA 设备 通信设备 音频、AV 设备 测量和分析设备 文娱设施 SSD ATM FA

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