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GeneSiCSemiconductor由高功率和高频率应用碳化硅半导体方面的专家RanbirSingh博士创立于2004年。Singh博士在行业领先的会议和期刊上发表过105篇论文,GeneSiC获得了其中26项专利。Singh博士曾写过一本关于这些问题的书。该公司是专注于研发、制造、销售采用SiC半导体为基体的优质、高性能和高温度元件。SiC半导体技术对于大功率和/或恶劣环境应用具有非常显著的优势。公司与象DOD

官方网址: http://www.genesicsemi.com/

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